砷化镓（GaAs）因其卓越的半导体性能，成为了被广泛使用的材料类型之一。它的光电转换效率高，热电转换效率也高。在光电信息、半导体微电子学、太阳能电池等领域应用广泛。
砷化镓具有很高的移动率，能带直接。它的带隙宽度仅为1.43eV，比硅材料窄得多。这使得它在一些特定的应用中拥有独特的优势。如在太阳能电池领域，砷化镓材料比硅材料更适合制作高效率的多接触太阳电池。此外，砷化镓材料的电阻率低，介电常数高，具有较高的热稳定性。
砷化镓的制备技术发展迅速。晶体管、太阳能电池、激光器、光电探测器、高速场效应管、微波器件等领域日益成为研究的热点。砷化镓在微机电制造（MEMS）等先进工艺中也有广泛的应用。
